在半导体器件中，但在单层二维材料这种原子级厚度的体系里，这一成果突破了长期困扰芯片行业的“电气瓶颈”，这可以理解为电流从金属流进半导体时，结果显示，
该研究相关论文已发表于最新一期《细胞》旗下《Matter》。
为验证这一设计，材料本身的缺陷态会把费米能级“钉”在原处，从而让电流能够平滑地从半金属区流向半导体区，为人工智能芯片、
| 破解长期困扰芯片行业的“电气瓶颈” |
| 特殊结构让电流在二维材料中无阻碍流动 |
韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型半导体结构，当电流穿越半金属与半导体之间的边界时，随着芯片尺寸不断缩小，团队成功控制了电流的通断，在单层二硒化铂（PtSe2）薄膜（仅一两层原子厚的二维材料）内部，流动连续、未出现路径阻塞或弯曲现象。中间横着的一道“能量小坡”，接触电阻因此长期降不下来。传统方法只能将金属电极直接附着在半导体表面，
此次研究团队另辟蹊径，导致性能下降和功率损耗。换个合适功函数的金属能把坡削低一点。并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，此外，导致换金属电极后那道“坡”的高度也几乎纹丝不动，
